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IXFR80N50Q3
80
70
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
180
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
60
9V
140
120
50
40
100
80
9V
30
8V
60
20
40
8V
10
0
7V
20
0
7V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value vs.
Junction Temperature
70
60
50
40
30
20
10
9V
8V
7V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
V GS = 10V
I D = 80A
I D = 40A
6V
0
0.2
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value vs.
Drain Current
55
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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相关代理商/技术参数
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IXFR90N20 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR90N20Q 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR90N30 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR9N80Q 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT10N100 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT10N100Q 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT120N15P 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube